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基于PLC技术的光网络器

文档格式:PPT| 34 页|大小 980.50KB|2024-10-22 发布|举报 | 版权申诉
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  • Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,Click to edit Master title style,第三章,基于,PLC,技术的光网络器件,张敏明:,mmz,万助军:,华中科技大学光电学院,第三章 基于,PLC,技术的光网络器件,3.1 PLC,技术简介,3.2 Y,分支器,3.3,定向耦合器,3.4,多模干涉耦合器,3.5,热光开关,什么是,PLC,技术?,PLC,(,Planar Lightwave Circuit,,平面光路),在平面衬底材料上制作芯层,/,包层波导结构,并以波导构成各种回路或者功能器件平面光波导材料,平面光波导材料,材料,折射率,1550nm,芯层,/,包层,折射率差,损耗,1550nm,(dB/cm),耦合损耗,(dB/,端面,),LiNbO,3,2.2,00.5%,0.5,1,InP,3.2,03%,3,5,SiO,2,1.45,04%,0.05,0.25,SOI,3.5,70%,0.1,0.5,Polymer,1.31.7,035%,0.1,0.1,Glass,1.45,00.5%,0.05,0.1,铌酸锂波导,是通过在铌酸锂晶体上扩散,Ti,离子形成波导,波导结构为,扩散型,。

    InP,波导,以,InP,为称底和下包层,以,InGaAsP,为芯层,以,InP,或者,InP,/,空气为上包层,波导结构为,掩埋脊形或者脊形,二氧化硅波导,以硅片为称底,以不同掺杂的,SiO2,材料为芯层和包层,波导结构为,掩埋矩形,SOI,波导,是在,SOI,基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为,Si,、,SiO2,、,Si,和空气,波导结构为,脊形,聚合物波导,以硅片为称底,以不同掺杂浓度的,Polymer,材料为芯层,波导结构为,掩埋矩形,玻璃波导,是通过在玻璃材料上扩散,Ag,离子形成波导,波导结构为,扩散型,SiO,2,/Si,光波导工艺,采用火焰水解法(,FHD,)或者化学气相淀积工艺(,CVD,),在硅片上生长一层,SiO2,,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层,如图(,b,)所示;,采用,FHD,或者,CVD,工艺,在下包层上再生长一层,SiO2,,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需要的折射率差,如图(,c,)所示;,通过退火硬化工艺,使前面生长的两层,SiO2,变得致密均匀,如图(,d,)所示;,进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图(,e,)所示;,采用反应离子刻蚀(,RIE,)工艺,将非波导区域刻蚀掉,如图(,f,)所示;,去掉光刻胶,采用,FHD,或者,CVD,工艺,在波导芯层上再覆盖一层,SiO2,,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层,如图(,g,)所示;,通过退火硬化工艺,使上包层,SiO2,变得致密均匀,如图(,h,)所示。

    玻璃光波导工艺,在玻璃基片上溅射一层铝,作为离子交换时的掩模层,如图(,b,)所示;,进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图(,c,)所示;,采用化学腐蚀,将波导上部的铝膜去掉,如图(,d,)所示;,将做好掩模的玻璃基片放入含,Ag,+,-Na,+,离子的混合溶液中,在适当的温度下进行离子交换,如图(,e,)所示,,Ag+,离子提升折射率,得到如图(,f,)所示的沟道型光波导;,对沟道型光波导施以电场,将,Ag+,离子驱向玻璃基片深处,得到掩埋型玻璃光波导,如图(,g,)所示第三章 基于,PLC,技术的光网络器件,3.1 PLC,技术简介,3.2 Y,分支器,3.3,定向耦合器,3.4,多模干涉耦合器,3.5,热光开关,Y,分支器的工作原理,辐射,辐射,奇模,1次模,Y,分支器的分光过程,Y,分支器的合光过程:同相位,Y,分支的合光过程:相位差为,基模,偶模,偶模,基模,Y,分支器的仿真情况,基于,Y,分支器的,Mach-Zehnder,干涉器,两臂光程差为0,辐射,辐射,两臂光程差为,相位控制器,仿真:,Mach-Zehnder,干涉器,相移,0,仿真:,Mach-Zehnder,干涉器,相移,第三章 基于,PLC,技术的光网络器件,3.1 PLC,技术简介,3.2 Y,分支器,3.3,定向耦合器,3.4,多模干涉耦合器,3.5,热光开关,定向耦合器的工作原理,耦合区域为5层光波导,最低阶的偶模和奇模具有几乎相等的传播常数,当二者相位差为0时,光能量约束在上面波导中;当二者相位差,时,光能量约束在下面波导中。

    适当控制波导长度即相位差,即可达到所需分光比模耦合方程分析,得到输出光场与输入光场之间的关系:,两个同向传输模式之间的能量交换,以模耦合方程描述:,两根对称直波导之间的耦合,其中:,两根对称直波导,传播常数相同,传输特性可简化如下:,因此定向耦合器的传输特性可以用如下矩阵来描述:,两根非对称直波导之间的耦合,其中:,因此两根非对称直波导之间不能达到100的光耦合两根非对称直波导的传播常数不同,得到两输出端口的透过率如下:,仿真:两根对称直波导之间的光场耦合,光场在两根波导之间来回切换,仿真:,50,50,的定向耦合器,第三章 基于,PLC,技术的光网络器件,3.1 PLC,技术简介,3.2 Y,分支器,3.3,定向耦合器,3.4,多模干涉耦合器,3.5,热光开关,多模波导中的正交模式,其中:,在多模波导中传输的是一系列正交模式,波导中的任意光场均可表述为这些模式的叠加:,多模波导中的自映像特性,各模式独立传输,在输出位置干涉叠加,考虑模式的奇偶特性,并作数学处理之后得到输出光场:,上式表示输出光场为输入光场的多个映像,各个映像的位置和相位均不同其中:,多模干涉耦合器,MMI,(,Multimode Interference,,,多模干涉)耦合器,任意输入光场,在多模波导中激励起一系列正交模式,各模式独立传输一定长度之后重新干涉叠加,只要适当选择多模波导长度,就可以获得输入光场的一系列自映像,在自映像位置设置输出波导,即可制成,MMI,耦合器。

    2W/N,2W/N,2W/N,2W/N,2W/N,2W/N,a,a,L=3L,c,/N,N,N,多模干涉耦合器,1,N,和,2,N,多模干涉耦合器,W/2N,W/N,W/2N,W/2,W/N,W/N,W/2,L=3L,c,/4N,1,N,多模干涉耦合器,W/N,2W/N,W/3,W/3,L=L,c,/N,2,N,多模干涉耦合器,2W/3N,2W/3N,仿真:,12,多模干涉耦合器,仿真:,22,多模干涉耦合器,仿真:,14,多模干涉耦合器,仿真:,44,多模干涉耦合器,第三章 基于,PLC,技术的光网络器件,3.1 PLC,技术简介,3.2 Y,分支器,3.3,定向耦合器,3.4,多模干涉耦合器,3.5,热光开关,基于,Y,分支器的数字型热光开关,在对称型,Y,分支器中,光能量被平均分配到两臂中;而在非对称,Y,分支中,光能量主要传向折射率较大的一臂在对称型,Y,分支的两臂旁制作电极,通过加热改变波导折射率,即得到非对称,Y,分支一般采用热光系数较大的聚合物材料来制作这种热光开关,其热光系数为负,即在一臂加热,折射率降低,光能量传向另一臂随着驱动功率的增加,被控制的光只会从一个端口输出,而不是在两个端口之间反复切换,因此被称为数字型光开关(,DOS,)。

    基于定向耦合器的,BOA,型热光开关,BOABifurcation Optical Active,各区域模式特性和转化关系:,单模波导,基模;,Y,分支,偶模和奇模,(相当于五层波导),;,双模波导,基模和一次模;,双模波导中的基模和一次,模具有相近的传播常数,因此第二个,Y,分支中偶模和基模的相位关系取决于双模波导的长度:,当相位差为,0,时,光能量被约束在上面的单模波导中;,当相位差为,时,光能量被约束在下面的单模波导中在双模波导上制作加热电极,通过热光效应控制相位差,即可实现光路的切换基模,偶模,奇模,基模,一次模,偶模,奇模,基模,等相位,相位差取决于双模波导长度,基于,MMI,耦合器的干涉型热光开关,+,由两个,22 MMI,耦合器和一对,MZ,干涉臂构成,在干涉臂上制作加热电极,通过热光效应来切换光路谢谢!,。

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